پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود

معرفی دیودها: دیود به عنوان ساده ترین اختراع غیرخطی می باشد که این متن در مورد آن شرح داده است. این عنصر دارای تنوع بسیار بوده و اکثر به یک صورت مورد استفاده قرار میگیرد یا به بیانی دیگر د رتمامی شاخه های صنعت الکترونیک کاربرد دارد.
از انواع آن میتوان به دیود خلا دیود گاز، دیودهای یک سو ساز فلزی، دیودهای نیمه هادی و دیودهای تونل و ... اشاره کرد. به دیود نیمه هادی ارجعیت بیشتری می دهیم چرا که تئوری مربوط به ساخت این نوع خاص از انواع دیود مرتبط وصادق برای انواع دیگر است.
2-مشخصات مداری دیود در این بخش اموزش داده خواهد شد.
در ضمن تکنیکهای تصویری مورد تاکیدی باشند چرا که تصویر قابل رویتی از عملکرد مدار را نمایش می دهند و اطلاعاتی را عرضه می کنند که نمی توان صرفا از رفتار چیزی معمار آنها را بدست آورد.
این تکنیکهای تصویری شامل رفتار خط بار ac,dc می باشند که فراهم آورنده ی سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ است. اگر چه این روشها معمولا در تحلیل مدارات دیودی استفاده نمی شوند اما آنها را برای قوی ومحکم ساختن مجموعه آثار ومنابع دانشجویان در این بخش معرفی کرده ایم.
وقتی ترازیستورها پیچیده می باشند مشکلات دیگر مواجه شده بسیار راحتتر خواهند بود وقتی که آنها را با دیود شبیه سازی کنیم.
1-2-خاصیت غیرخطی-دیوید ایده آل
داتشجویان معمولا تحصیل خود را با در نظر گرفتن نمونه های خطی مدار آغاز می کنند که ساده ترین آنها مقاومت می باشد. رابطه ی ولت-آمپر یعنی همان مشخصه ی vi یک مقاومت با مافوق ساده هم توضیح داده شده است که ما گاهی اوقات تفسیر نموداری آن را بررسی نمی کنیم. مشخصه ی خطی ترازیستور در شکل 1-1-2 مشخص است و مشخصه ی غیرخطی دیوید هم در اینجا به وضوح وجود دارد. وقتی ولتاژ منبع مثبت باشد جریان id هم مثبت خواهد بود.
ودیود اتصال کوتاه است و زمانی که vi منفی باشد وجریان دیوید id صفر خواهد بود و دیود اتصال باز خواهد بود می توان دیوید را به عنوان یک کلید تصور کرد که با جهت ولتاژ قابل کنترل خواهد بود. این کلید به ازای ولتاژهای مثبت بسته خواهد بود و به ازای ولتاژهای منفی کلید باز است.

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود

فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود

فصل اول

1-1) آشنایی با انواع شبکه های توزیع
برای توضیح بحث شبکه های توزیع مناسب است مختصرا مقدمه ای را بیان نماییم امروزه به علت بالا بودن مقدار انرژی الکتریکی مصرفی و فاصله تولید این انرژی که به دلایل متعدد( رعایت محیط زیست و وجود منبع کافی آب و نزدیکتر بودن به جاده های بین المللی جهت حمل مواد سوختی و وجود زمین مناسب برای نصب تاسیسات سنگین نیروگاههای حرارتی) در خارج از شهرها با فاصله ای نسبتا زیاد ایجاد و الزاما از این فاصله انتقال انرژی الکتریکی زیاد به نقاط دور دست به خاطر مقاومت هادیها نیاز به افزایش ولتاژ و سپس نزدیک مصرف کننده ها به علت نیاز به ولتاژ فشار ضعیف مجددا احتیاج به کاهش ولتاژ می‌باشد.
لذا انتخاب ولتاژ و توزیع انتقال و توزیع متناسب با میزان بار (انرژی) و فاصله ی انتقال این انرژی تا محل مصرف انجام می گیرد و طراحی پستهای انتقال و توزیع و سپس ساخت و نصب و بهره برداری آغاز می گردد.

1- بحث پخش انرژی الکتریکی (توزیع) DISTRIBUTION و ارائه انواع شبکه های توزیع مطلب این پروژه می باشد.
برای پخش انرژی بطور کلی چهار گروه اصلی هادی توزیع انرژی می شناسیم.
1-1) سیمهای با روپوش عایقی که تا ولتاژ 1000 ولت درجه عایقی آن می باشد در ساختمانها بیشتر استفاده می شود.
2-1) سیمهای با روپوش عایقی برای ولتاژهای تا 1000 ولت برای رساندن انرژی برق به مصرف کننده‌های متحرک و سیار استفاده می گردد.
3-1) کابلهای روپوش دار روغنی و خشک با تحمل درجه عایقی برای 1000 تا ولتاژهای بالاتر برای استقرار در زیر زمین و کانالها یا زیر آب برای هدایت انرژی فشار ضعیف تا فشار قوی.
4-1) هادیهای بدون روپوش مسی و آلومینیومی بای انتقال یا توزیع انرژی فشار ضعیف 380 ولت تا ولتاژهای فشار قوی بالا تا 750 کیلو ولت می باشد.
لازم به ذکر است که انتخاب هر یک از چهار گروه مذکور برای پخش یا انتقال انرژی بستگی به میزان انرژی و فاصله محل تولید تا مصرف و ولتاژ انتخابی و شرایط محلی و نوع مصرف کننده می باشد.
شبکه های با ولتاژ تا 1000 ولت را فشار ضعیف و از 1000 تا 63 کیلو ولت را فشار متوسط و بالاتر را فشار قوی می نامند.

2- ساختمان و کاربرد هادیهای جریان
بدیهی است که برای هدایت انرژی در شبکه های توزیع و انتقال نیاز به استفاده از هادیهایی از نوع مس یا آلومینیوم خواهد بود.
این هادیها دارای مشخصه استقامت مکانیکی – مقاومت مخصوص و مقاطع مختلف می باشد.
لذا برای انتخاب جنس هادی باید به نوع خط و شرایط محیطی که بر روی خط تاثیر خواهد گذاشت توجه داشته و به مهمترین خصائص هادی که هدایت الکتریکی – مقاومت مکانیکی- استقامت شیمیایی – وزن هادی و مقطع هادی دقت نمائیم.

3- عایق های بکار رفته در پوشش عایقی کابل و ساختمان آنها
برای پوشش عایقی سیمهای برق غالبا از موادی بنام پلاستیک یا لاستیک و مشتقات آنها در لایه های متعدد متناسب با نیاز استفاده می گردد.
در شبکه‌های فشار ضعیف بیشتر از کابل (POLIVINIL CHOLORID) PVC
پلی ونییل کلرید و در مواردی که به نرمش بیشتری نیاز باشد از کابلهای با پوشش لاستیکی استفاده
می شود.

4- ساختمان سیمهای دارای پوشش عایقی
برای سیمهای با پوشش عایقی که مناسب نصب روی دیوارها می باشد و حداکثر تا مقطع 16 میلیمتر تک رشته برای سیمهای با پوشش عایقی که مناسب نصب روی دیوارها می باشد و حداکثر تا مقطع 16 میلیمتر تک رشته بیشتر ساخته نمی شود و برای مقاطع بالاتر از چند سیمه استفاده می گردد با علامت مشخصه F نمایش داده می شوند و برای حمل انرژی به دستگاه های متحرک بیشتر از سیمهای افشان روپوش دار استفاده می گردد.

پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود

پرداخت و دانلود